tgoop.com/Moallemekhoob/2684
Create:
Last Update:
Last Update:
کمترین مقدار Rds _on کلاس خود یعنی ۴ میلیاهم، در بستهبندی Q-DPAK خنکشونده از بالا ارائه میشود که برای دستیابی به عملکرد حرارتی بهینه و اطمینان بالا طراحی شده است.
این فناوری به کاهش تلفات سوئیچینگ در توپولوژیهای سوئیچینگ سخت (Hard-Switching) و نرم (Soft-Switching) کمک میکند و در موارد سوئیچینگ سخت، راندمان بینظیری ارائه میدهد.
با کاهش بار گیت (Gate Charge)، به کمک این فناوری امکان سوئیچینگ سریعتر و کاهش تلفات در مدار درایور گیت را فراهم میکند و در کاربردهای با فرکانس بالا بهرهوری بیشتری ارائه میدهد.
علاوه بر این، MOSFETهای CoolSiC نسل دوم با ولتاژ ۷۵۰ ولت، ترکیبی از ولتاژ آستانه گیت Vgs(th)بالا، بهطور typ برابر با ۴.۵ ولت در دمای ۲۵ درجه را ارائه میدهند که مقاومت بالایی در برابر روشن شدن ناخواسته ناشی از پارازیتها (PTO) ایجاد میکند.همچنین، این فناوری امکان درایو گیت
توسعهیافته را فراهم میسازد، بهطوری که ولتاژهای گیت ایستا تا -۷ ولت و ولتاژهای گذرای گیت تا -۱۱ ولت را پشتیبانی میکند.
این تحمل ولتاژی بهبود یافته، به مهندسان حاشیه طراحی بیشتری داده و سازگاری بالاتری با سایر قطعات موجود در بازار فراهم میآورد.
این مدل MOSFETهای CoolSiC 750 V G2 عملکرد عالی در سوئیچینگ، سهولت در استفاده و قابلیت اطمینان بالا را با رعایت استاندارد AEC-Q101 برای قطعات خودرو و استاندارد JEDEC برای قطعات صنعتی ارائه میدهند.این فناوری به طراحیهایی کارآمدتر، فشردهتر و مقرونبهصرفهتر برای پاسخگویی به نیازهای روبهرشد بازار کمک میکند و تعهد اینفینیون به اطمینانپذیری و طول عمر بالا در کاربردهای ایمنیمحور خودرو را تقویت مینماید.
@Moallemekhoob
BY کانال آموزش الکترونیک معلم خوب
Share with your friend now:
tgoop.com/Moallemekhoob/2684