tgoop.com/russchemrev/55
Last Update:
В последние 30 лет наблюдается стремительный рост исследований материалов фазовой памяти на основе халькогенидных полупроводников — от лабораторных разработок до широкого применения в качестве функциональных слоев в различных устройствах. Прежде всего это касается соединений системы Ge–Sb–Te, что с полным основанием позволяет считать их функциональными материалами. В Успехах химии вышел обзор
Материалы фазовой памяти и их применение,
С.А. Козюхин, П.И. Лазаренко, А.И. Попов, И.Л. Еременко, в котором представлен современный взгляд на проблему управления свойствами материалов фазовой памяти путем их химического и структурного модифицирования. Освещены как существующие, так и перспективные области применения данных материалов. Проанализированы результаты исследований эффекта формирования в таких материалах периодических поверхностных структур, и подчеркнуто, что данный эффект уже в ближайшем будущем может найти применение в нанофотонике и оптоэлектронике.
BY Russian Chemical Reviews
Share with your friend now:
tgoop.com/russchemrev/55