Computer Science | علم کامپیوتر

(ادامه پست بالا)
🧡علوم کامپیوتر🧡
اول =🔷CL یا CAS در تایمینگ رم RAM🔷

✅این پارامتر مهمترین و معروف ترین پارامتر در تایمینگ رم RAM هست . در بعضی مواقع روی ماژول رم اصلا بقیه موارد رو نمی نویسن و فقط می زنن مثلا CL7 . این پارامتر نشون میده از موقعی که پردازنده می خواد به رم دسترسی داشته باشه چند تا کلاک پالس طول میکشه تا رم بهش اجازه دسترسی بده . مثلا اگه CL7 باشه یعنی 7 تا کلاک پالس . یا CL11 یعنی 11 تا کلاک پالس . هر چی این عدد کمتر باشه بهتره . مثال می زنم  دو تا رم DDR3 1600 داریم که خب سرعت برابر دارن اما تایمینگ یکیشون 7 و یکی دیگه 9 هست . مسلما اونی که تایمینگ رم 7 داره سریع تره . گفتم که سرعت کلاک پالس توی تاخیر زمانی تاثیر میذاره . یعنی شاید یه رم با تایمینگ CL11 از یه رم دیگه با تایمینگ CL9 سریع تر باشه چون کلاک پالس سریع تری داره .🔰

✅ دو تا رم با دو تایمینگ مختلف. همونطور که می دونید در سرعت یکسان ، هر رمی که تاخیر کمتری داره سریع تر کار رو انجام میده .وقتی پردازنده فرمان Read رو صادر می کنه . زمانی که رم اون دستور رو پاسخ میده بهش میگن CAS یا CL .🔰

🔷مفهوم CL یا CAS در تایمینگ رم RAM🔷

✅حالا ما می تونیم با استفاده از فرمول معروف کلاک پالس و فرکانس ، مدت زمان دقیق تایمینگ رم رو بدست بیاریم . ما می خوایم زمان تناوب رو بدست بیاریم . فرکانس رم رو که داریم مثلا فکر کنید فرکانس 1333 مگاهرتز هست . قبلا گفتم که فرکانس اصلی و واقعی رم های DDR نصف اون مقداری هست که روی ماژول می نویسن . دلیلش رو در پست DDR گفتم . پس اگه فرکانس ما 1333 باشه تقسیم بر 2 میشه 666 مگاهرتز . حالازمان تناوب = 1 یک تقسیم بر فرکانس . پس 1 تقسیم بر 666 مگاهرتز میشه 1.5 نانوثانیه . حالا چون 7 تا کلاک طول میکشه ما این رو ضرب در 7 میکنیم میشه 10.5 نانوثانیه . پس دستور Read از CPU اگه به یه رم با فرکانس 1333 و تایمینگ CL7 ارسال بشه ، 10.5 نانو ثانیه طول میکشه تا رم بهش پاسخ بده .

دوم = 🔷tRCD در تایمینگ رم RAM🔷

✅قبلاگفتیم که حافظه رم RAM از سطر و ستون های مختلفی تشکیل شده . هر بیت از رم توسط یک خازن به صورت صفر و یک ذخیره میشه.
این سطر و ستون ها توسط دو سیگنال Row Access Strobe برای سطرها و Column Access Strobe برای ستون ها کنترل میشه . قانون اینه که اول باید سطر اون خونه فعال و سپس ستون اون خونه فعال بشه . فاصله زمانی بین فعال شدن سطر و فعال شدن ستون رو tRCD میگن . یعنی اول سطر فعال میشه یه مقدار بعدش ستون فعال میشه . اون فاصله زمانی بین فعال شدن ها رو tRCD میگن . در شکل زیر یک رم با tRCD برابر با 3 رو مشاهده می کنید . یعنی 3 تا کلاک پالس طول میکشه .🔰

🔷tRCD در تایمینگ رم RAM🔷

✅راستی tRCD ، فاصله زمانی بین حالت Active و Read هست . یعنی لحظه ای که فرمان فعال شدن به رم داده میشه تا زمانی که رم خونده میشه .🔰

سوم = 🔷tRP در تایمینگ رم RAM🔷

✅خب در قسمت بالایی گفتم که یه سطر فعال میشه بعدش ستون فعال میشه تا یه خونه مشخصی از رم در اختیار قرار بگیره . حالا اگه یه خونه دیگه از رم فراخونی بشه که در یک سطر دیگه باشه ، اون سطر قبلی باید غیر فعال بشه و اون سطر جدید فعال . واسه همین یه سیگنال با عنوان Precharge به سطر اعمال میشه تا غیرفعال بشه و دستور Active مجددا به خونه بعدی اعمال بشه . مدت زمان بین دستور Precharge و Active رو tRP میگن .🔰



چهارم = 🔷 tRAS و CMD در تایمینگ رم RAM 🔷

✅دستور Precharge نمی تونه تا زمان اتمام فراخوانی خونه رم ، اعمال بشه ، مدت زمان بین دستور Active تا Precharge رو با tRAS نشون میدن . یعنی وقتی دستور Precharge اعمال میشه ، بعد از یه تاخیر زمانی رم به حالت Active میره و مجددا وقتی کارش تموم میشه منتظر دستور Precharge می مونه . اون مدت زمانی که رم از حالت Active منتظر دریافت Precharge هست رو tRAS میگن .🔰

سی ام دی CMD هم مدت زمانی که رم به اصطلاح خودش رو می شناسه و آماده دریافت دستور از پردازنده میشه رو نشون میده . یعنی رم پین های خودش رو آماده می کنه ، ماژول مشخص میشه ، چیپ داخلی تعیین میشه🔰 .

🎈این پارامتر رو با حرف T نشون میدن و اینجوری می نویسن : 1T و یا 2T یعنی 1 کلاک پالس و یا 2 کلاک پالس .🎈

🚧توصیه میکنم تنظیمات رم رو دستکاری نکنید . این تنظیمات بیشتر برای اورکلاک هست . توی بایوس بعضی مادربوردها شما می تونید تایمینگ رم رو تنظیم کنید اما میگم که اگه وارد نیستید اصلا دست نزنید .

🖥 @Computer_Science100

❤4

www.tgoop.com/Computer_Science100/15596

2.29K viewsedited  Oct 15, 2024 at 07:13

(ادامه پست بالا)
🧡علوم کامپیوتر🧡
اول =🔷CL یا CAS در تایمینگ رم RAM🔷

✅این پارامتر مهمترین و معروف ترین پارامتر در تایمینگ رم RAM هست . در بعضی مواقع روی ماژول رم اصلا بقیه موارد رو نمی نویسن و فقط می زنن مثلا CL7 . این پارامتر نشون میده از موقعی که پردازنده می خواد به رم دسترسی داشته باشه چند تا کلاک پالس طول میکشه تا رم بهش اجازه دسترسی بده . مثلا اگه CL7 باشه یعنی 7 تا کلاک پالس . یا CL11 یعنی 11 تا کلاک پالس . هر چی این عدد کمتر باشه بهتره . مثال می زنم  دو تا رم DDR3 1600 داریم که خب سرعت برابر دارن اما تایمینگ یکیشون 7 و یکی دیگه 9 هست . مسلما اونی که تایمینگ رم 7 داره سریع تره . گفتم که سرعت کلاک پالس توی تاخیر زمانی تاثیر میذاره . یعنی شاید یه رم با تایمینگ CL11 از یه رم دیگه با تایمینگ CL9 سریع تر باشه چون کلاک پالس سریع تری داره .🔰

✅ دو تا رم با دو تایمینگ مختلف. همونطور که می دونید در سرعت یکسان ، هر رمی که تاخیر کمتری داره سریع تر کار رو انجام میده .وقتی پردازنده فرمان Read رو صادر می کنه . زمانی که رم اون دستور رو پاسخ میده بهش میگن CAS یا CL .🔰

🔷مفهوم CL یا CAS در تایمینگ رم RAM🔷

✅حالا ما می تونیم با استفاده از فرمول معروف کلاک پالس و فرکانس ، مدت زمان دقیق تایمینگ رم رو بدست بیاریم . ما می خوایم زمان تناوب رو بدست بیاریم . فرکانس رم رو که داریم مثلا فکر کنید فرکانس 1333 مگاهرتز هست . قبلا گفتم که فرکانس اصلی و واقعی رم های DDR نصف اون مقداری هست که روی ماژول می نویسن . دلیلش رو در پست DDR گفتم . پس اگه فرکانس ما 1333 باشه تقسیم بر 2 میشه 666 مگاهرتز . حالازمان تناوب = 1 یک تقسیم بر فرکانس . پس 1 تقسیم بر 666 مگاهرتز میشه 1.5 نانوثانیه . حالا چون 7 تا کلاک طول میکشه ما این رو ضرب در 7 میکنیم میشه 10.5 نانوثانیه . پس دستور Read از CPU اگه به یه رم با فرکانس 1333 و تایمینگ CL7 ارسال بشه ، 10.5 نانو ثانیه طول میکشه تا رم بهش پاسخ بده .

دوم = 🔷tRCD در تایمینگ رم RAM🔷

✅قبلاگفتیم که حافظه رم RAM از سطر و ستون های مختلفی تشکیل شده . هر بیت از رم توسط یک خازن به صورت صفر و یک ذخیره میشه.
این سطر و ستون ها توسط دو سیگنال Row Access Strobe برای سطرها و Column Access Strobe برای ستون ها کنترل میشه . قانون اینه که اول باید سطر اون خونه فعال و سپس ستون اون خونه فعال بشه . فاصله زمانی بین فعال شدن سطر و فعال شدن ستون رو tRCD میگن . یعنی اول سطر فعال میشه یه مقدار بعدش ستون فعال میشه . اون فاصله زمانی بین فعال شدن ها رو tRCD میگن . در شکل زیر یک رم با tRCD برابر با 3 رو مشاهده می کنید . یعنی 3 تا کلاک پالس طول میکشه .🔰

🔷tRCD در تایمینگ رم RAM🔷

✅راستی tRCD ، فاصله زمانی بین حالت Active و Read هست . یعنی لحظه ای که فرمان فعال شدن به رم داده میشه تا زمانی که رم خونده میشه .🔰

سوم = 🔷tRP در تایمینگ رم RAM🔷

✅خب در قسمت بالایی گفتم که یه سطر فعال میشه بعدش ستون فعال میشه تا یه خونه مشخصی از رم در اختیار قرار بگیره . حالا اگه یه خونه دیگه از رم فراخونی بشه که در یک سطر دیگه باشه ، اون سطر قبلی باید غیر فعال بشه و اون سطر جدید فعال . واسه همین یه سیگنال با عنوان Precharge به سطر اعمال میشه تا غیرفعال بشه و دستور Active مجددا به خونه بعدی اعمال بشه . مدت زمان بین دستور Precharge و Active رو tRP میگن .🔰



چهارم = 🔷 tRAS و CMD در تایمینگ رم RAM 🔷

✅دستور Precharge نمی تونه تا زمان اتمام فراخوانی خونه رم ، اعمال بشه ، مدت زمان بین دستور Active تا Precharge رو با tRAS نشون میدن . یعنی وقتی دستور Precharge اعمال میشه ، بعد از یه تاخیر زمانی رم به حالت Active میره و مجددا وقتی کارش تموم میشه منتظر دستور Precharge می مونه . اون مدت زمانی که رم از حالت Active منتظر دریافت Precharge هست رو tRAS میگن .🔰

سی ام دی CMD هم مدت زمانی که رم به اصطلاح خودش رو می شناسه و آماده دریافت دستور از پردازنده میشه رو نشون میده . یعنی رم پین های خودش رو آماده می کنه ، ماژول مشخص میشه ، چیپ داخلی تعیین میشه🔰 .

🎈این پارامتر رو با حرف T نشون میدن و اینجوری می نویسن : 1T و یا 2T یعنی 1 کلاک پالس و یا 2 کلاک پالس .🎈

🚧توصیه میکنم تنظیمات رم رو دستکاری نکنید . این تنظیمات بیشتر برای اورکلاک هست . توی بایوس بعضی مادربوردها شما می تونید تایمینگ رم رو تنظیم کنید اما میگم که اگه وارد نیستید اصلا دست نزنید .

🖥 @Computer_Science100

BY Computer Science | علم کامپیوتر