Notice: file_put_contents(): Write of 13378 bytes failed with errno=28 No space left on device in /var/www/tgoop/post.php on line 50

Warning: file_put_contents(): Only 4096 of 17474 bytes written, possibly out of free disk space in /var/www/tgoop/post.php on line 50
Computer Science@CScience1 P.2943
CSCIENCE1 Telegram 2943
Флэш-память — тип энергонезависимой памяти, которая позволяет записывать и стирать данные в блоках. Используется в различных устройствах, таких как USB-накопители, карты памяти, SSD-диски и многие другие.

Принцип работы флэш-памяти

Типы флэш-памяти:
• NAND: Более распространенная и используемая в современных устройствах (например, в SSD, смартфонах, флэш-картах). Отличается высокой плотностью хранения данных и быстрым временем записи.
• NOR: Используется реже, имеет более высокую скорость чтения и прямой доступ к данным, что делает её подходящей для использования в устройствах с потребностью в частом чтении данных (например, в прошивках устройств).

Технология хранения:
• Флэш-память использует клетки, которые хранят информацию в виде зарядов. Каждая клетка представляет собой транзистор, и наличие или отсутствие заряда в ячейке определяет, хранится ли в ней "0" или "1".
• В отличие от традиционных жестких дисков, в которых данные записываются на вращающиеся пластины, флэш-память не имеет движущихся частей и использует электрический заряд для записи и хранения данных.

Процесс записи и стирания:
• Запись: Чтобы записать данные, в ячейку флэш-памяти подается напряжение, которое изменяет заряд на соответствующем транзисторе, сохраняя бит информации.
• Стирание: Флэш-память стирает данные блоками, а не по отдельности. Для этого необходимо подать высокое напряжение, чтобы сбросить заряд на ячейке.

Ограничения по циклам записи: Флэш-память имеет ограничение по количеству циклов записи и стирания на каждую ячейку (обычно несколько тысяч циклов). Это связано с тем, что процесс стирания и записи вызывает износ ячеек.



tgoop.com/CScience1/2943
Create:
Last Update:

Флэш-память — тип энергонезависимой памяти, которая позволяет записывать и стирать данные в блоках. Используется в различных устройствах, таких как USB-накопители, карты памяти, SSD-диски и многие другие.

Принцип работы флэш-памяти

Типы флэш-памяти:
• NAND: Более распространенная и используемая в современных устройствах (например, в SSD, смартфонах, флэш-картах). Отличается высокой плотностью хранения данных и быстрым временем записи.
• NOR: Используется реже, имеет более высокую скорость чтения и прямой доступ к данным, что делает её подходящей для использования в устройствах с потребностью в частом чтении данных (например, в прошивках устройств).

Технология хранения:
• Флэш-память использует клетки, которые хранят информацию в виде зарядов. Каждая клетка представляет собой транзистор, и наличие или отсутствие заряда в ячейке определяет, хранится ли в ней "0" или "1".
• В отличие от традиционных жестких дисков, в которых данные записываются на вращающиеся пластины, флэш-память не имеет движущихся частей и использует электрический заряд для записи и хранения данных.

Процесс записи и стирания:
• Запись: Чтобы записать данные, в ячейку флэш-памяти подается напряжение, которое изменяет заряд на соответствующем транзисторе, сохраняя бит информации.
• Стирание: Флэш-память стирает данные блоками, а не по отдельности. Для этого необходимо подать высокое напряжение, чтобы сбросить заряд на ячейке.

Ограничения по циклам записи: Флэш-память имеет ограничение по количеству циклов записи и стирания на каждую ячейку (обычно несколько тысяч циклов). Это связано с тем, что процесс стирания и записи вызывает износ ячеек.

BY Computer Science


Share with your friend now:
tgoop.com/CScience1/2943

View MORE
Open in Telegram


Telegram News

Date: |

Select “New Channel” Telegram iOS app: In the “Chats” tab, click the new message icon in the right upper corner. Select “New Channel.” Other crimes that the SUCK Channel incited under Ng’s watch included using corrosive chemicals to make explosives and causing grievous bodily harm with intent. The court also found Ng responsible for calling on people to assist protesters who clashed violently with police at several universities in November 2019. “[The defendant] could not shift his criminal liability,” Hui said. Informative
from us


Telegram Computer Science
FROM American