Notice: file_put_contents(): Write of 10361 bytes failed with errno=28 No space left on device in /var/www/tgoop/post.php on line 50

Warning: file_put_contents(): Only 8192 of 18553 bytes written, possibly out of free disk space in /var/www/tgoop/post.php on line 50
Computer Science@CScience1 P.2660
CSCIENCE1 Telegram 2660
Типы флеш-памяти

Флеш-память - это тип энергонезависимой памяти, которая используется в различных электронных устройствах, таких как USB-накопители, твердотельные накопители (SSD) и мобильные телефоны. Существует несколько типов флеш-памяти, каждый из которых имеет свои преимущества и недостатки.

Основные типы флеш-памяти:

• NOR Flash: NOR Flash позволяет выполнять чтение и запись на уровне байта, что делает ее подходящей для использования в коде и данных. Однако она имеет более низкую плотность хранения и более высокое энергопотребление, чем другие типы флеш-памяти.
• NAND Flash: NAND Flash позволяет выполнять чтение и запись на уровне страницы (обычно 512 байт или 4 КБ), что делает ее более эффективной для хранения больших объемов данных. Она имеет более высокую плотность хранения и более низкое энергопотребление, чем NOR Flash.
• SLC NAND Flash (одноуровневая ячейка): SLC NAND Flash хранит один бит данных на ячейку памяти, что обеспечивает высокую надежность и производительность. Однако она имеет более низкую плотность хранения и более высокую стоимость, чем другие типы флеш-памяти.
• MLC NAND Flash (многоуровневая ячейка): MLC NAND Flash хранит два или более бит данных на ячейку памяти, что обеспечивает более высокую плотность хранения и более низкую стоимость. Однако она имеет более низкую надежность и производительность, чем SLC NAND Flash.
• TLC NAND Flash (трехуровневая ячейка): TLC NAND Flash хранит три бита данных на ячейку памяти, что обеспечивает еще более высокую плотность хранения и более низкую стоимость. Однако она имеет еще более низкую надежность и производительность, чем MLC NAND Flash.
• QLC NAND Flash (четырехуровневая ячейка): QLC NAND Flash хранит четыре бита данных на ячейку памяти, что обеспечивает максимальную плотность хранения и самую низкую стоимость. Однако она имеет самую низкую надежность и производительность среди всех типов флеш-памяти.

Другие типы флеш-памяти:


• EEPROM (электрически стираемое программируемое ПЗУ): EEPROM позволяет выполнять чтение и запись на уровне байта, как и NOR Flash. Однако она имеет более низкую плотность хранения и более высокое энергопотребление.
• FeRAM (ферроэлектрическая ОЗУ): FeRAM позволяет выполнять чтение и запись на уровне бита, как и SRAM. Однако она имеет более низкую плотность хранения и более высокое энергопотребление.



tgoop.com/CScience1/2660
Create:
Last Update:

Типы флеш-памяти

Флеш-память - это тип энергонезависимой памяти, которая используется в различных электронных устройствах, таких как USB-накопители, твердотельные накопители (SSD) и мобильные телефоны. Существует несколько типов флеш-памяти, каждый из которых имеет свои преимущества и недостатки.

Основные типы флеш-памяти:

• NOR Flash: NOR Flash позволяет выполнять чтение и запись на уровне байта, что делает ее подходящей для использования в коде и данных. Однако она имеет более низкую плотность хранения и более высокое энергопотребление, чем другие типы флеш-памяти.
• NAND Flash: NAND Flash позволяет выполнять чтение и запись на уровне страницы (обычно 512 байт или 4 КБ), что делает ее более эффективной для хранения больших объемов данных. Она имеет более высокую плотность хранения и более низкое энергопотребление, чем NOR Flash.
• SLC NAND Flash (одноуровневая ячейка): SLC NAND Flash хранит один бит данных на ячейку памяти, что обеспечивает высокую надежность и производительность. Однако она имеет более низкую плотность хранения и более высокую стоимость, чем другие типы флеш-памяти.
• MLC NAND Flash (многоуровневая ячейка): MLC NAND Flash хранит два или более бит данных на ячейку памяти, что обеспечивает более высокую плотность хранения и более низкую стоимость. Однако она имеет более низкую надежность и производительность, чем SLC NAND Flash.
• TLC NAND Flash (трехуровневая ячейка): TLC NAND Flash хранит три бита данных на ячейку памяти, что обеспечивает еще более высокую плотность хранения и более низкую стоимость. Однако она имеет еще более низкую надежность и производительность, чем MLC NAND Flash.
• QLC NAND Flash (четырехуровневая ячейка): QLC NAND Flash хранит четыре бита данных на ячейку памяти, что обеспечивает максимальную плотность хранения и самую низкую стоимость. Однако она имеет самую низкую надежность и производительность среди всех типов флеш-памяти.

Другие типы флеш-памяти:


• EEPROM (электрически стираемое программируемое ПЗУ): EEPROM позволяет выполнять чтение и запись на уровне байта, как и NOR Flash. Однако она имеет более низкую плотность хранения и более высокое энергопотребление.
• FeRAM (ферроэлектрическая ОЗУ): FeRAM позволяет выполнять чтение и запись на уровне бита, как и SRAM. Однако она имеет более низкую плотность хранения и более высокое энергопотребление.

BY Computer Science


Share with your friend now:
tgoop.com/CScience1/2660

View MORE
Open in Telegram


Telegram News

Date: |

Find your optimal posting schedule and stick to it. The peak posting times include 8 am, 6 pm, and 8 pm on social media. Try to publish serious stuff in the morning and leave less demanding content later in the day. How to create a business channel on Telegram? (Tutorial) The channel also called on people to turn out for illegal assemblies and listed the things that participants should bring along with them, showing prior planning was in the works for riots. The messages also incited people to hurl toxic gas bombs at police and MTR stations, he added. How to Create a Private or Public Channel on Telegram? Over 33,000 people sent out over 1,000 doxxing messages in the group. Although the administrators tried to delete all of the messages, the posting speed was far too much for them to keep up.
from us


Telegram Computer Science
FROM American