Минпромторг массово выставляет ИТ-компаниям и институтам в сфере электроники штрафы в размере десятков миллионов рублей

Санкции применяются в связи с задержкой разработки микроэлектроники или необходимых для нее материалов

Некоторые компании срывали сроки исполнения контрактов на три года. В основном просрочки начислялись из-за задержек исполнения третьего и четвертого этапов, которые предполагают освоение серийного производства и тестирование продукции

В апреле компаниям было начислено свыше 500 млн руб. штрафов в виде пени

-

Среди незавершенных работ, например, разработка и освоение серийного производства радиационно-стойкой микросхемы за 131,9 млн руб.

Контракт между Минпромторгом и Омским научно-исследовательским институтом приборостроения был заключен в июле 2020 г. и должен быть завершен в конце декабря 2023 г.

Просрочка по контракту составила 487 дней

Министерство начислило пени в размере 10,9 млн руб.

Микросхема должна была стать аналогом HMC7044 американской компании Analog Device

-

К неисполненным в срок контрактам также относится и освоение серийного производства управляющего процессора бортовых вычислительных комплексов для космических аппаратов нового поколения с элементами искусственного интеллекта за 400 млн руб.

Министерство заключило контракт с НТЦ «Модуль» в ноябре 2020 г.

Он должен быть завершен в декабре 2023 г., однако этого сделано не было (просрочка 487 дней)

Из-за чего исполнителю был выставлен штраф в размере 46 млн руб.

-

Не завершены уже несколько лет НПП «Пульсаром» разработка и освоение производства радиационно-стойкого малошумящего высокоскоростного операционного усилителя за 121 млн руб.

Просрочка составила 852 дня, а пени — 17,5 млн руб.

«Пульсар» не завершил и схожую разработку и серийное производство радиационно-стойкого высокоскоростного компаратора за 140 млн руб.

По этому контракту Минпромторг выставил неустойку в размере 34,8 млн руб. за 893 дня просрочки

Еще один образец отечественного оборудования для скрабирования и резки:

Лазерная машина МЛП1-УФ предназначена для решения задач в области микрообработки таких как резка, скрайбирование, прошивка отверстий, абляция и структурирование ультрафиолетовым лазером широкого спектра материалов, таких как: Керамика, сырая керамика LTCC, кремний, кварц, стекло, полимеры, алмаз, сапфир, печатные платы, органические, легкоплавкие и другие труднообрабатываемые материалы

Машина МЛП1-УФ позволяет осуществлять обработку изделий в производстве микроэлектроники: структурирование поверхности, разделение пластин на отдельные чипы, обработку микросхем, высококачественную размерную обработку (резка, фрезерование, скрайбирование, сверление отверстий) из кварца, органических и легкоплавких материалов, алмазов, кристаллов, керамики, поликора, кремния, карбида кремния и других полупроводниковых материалов

Таким образом, при проектировании конкретных инструментов государственной поддержки отдельных проектов необходимо максимизировать требования к целевому объему производства при минимизации доли иностранных комплектующих и материалов в продукции.

Подводя итоги, можно заключить, что, стимулируя с помощью бюджетных и частных инвестиций развитие электронной промышленности на всех технологических уровнях (от материалов до конечной продукции), можно обеспечить рост уровня локализации и доли использования российских компонентой в продукции, что приведет к сохранению большей части добавленной стоимости на территории России. Это позволит на стратегическом горизонте генерировать дополнительные ресурсы для реинвестирования в развитие отрасли.

Фактически такой подход создает возможность для формирования маховика воспроизводства инвестиционного ресурса за счет локализации на территории РФ добавленной стоимости и роста национального дохода (рис. 19). Эта концепция схожа с концепцией мультипликатора инвестиций Дж. Кейнса*, но вместо
использования в качестве основного аргумента предельной склонности к сбережениям используем «склонность» к локализации производства компонентов на территории РФ. Такой подход является ключевым для достижения техно-логического суверенитета как основной максимы государственной макроэко-номической политики.

*Дж. М. Кейнс. Общая теория занятости, процента и денег, 1936.

Шпак В.В. Развитие электронной промышленности России в условиях меняющегося мира, 2024 год, с.70-71 ISBN 978-5-94836-656-2

Рынок микроэлектроники в России в базовом сценарии достигнет к 2030 году уровня 794 млрд руб., в оптимистичном — составит 1,089 трлн руб.

Об этом говорится в исследовании ведущей консалтинговой компании Strategy Partners

Прогнозируется, что к этому же сроку отечественное производство микроэлектроники составит 352 млрд руб.

Среднегодовой темп производства при таком сценарии будет на уровне 25%

По итогам 2024 года российский рынок микроэлектроники вырос на 20% и составил 370 млрд руб.

При этом отечественные производители заняли долю 25% — 94 млрд руб., говорится в исследовании

Основными потребителями микроэлектроники в прошлом году стали отрасли промышленности

На мировом рынке отрасль выросла за тот же период на 8–9%, к 2030 году прогнозируется достижение уровня $1 трлн.

Странами—лидерами в микроэлектронике остаются США, Япония и Южная Корея c долями 38%, 12% и 12% соответственно

Также сохраняется тренд на расширение программ по развитию отрасли внутри стран-лидеров

Прикладываю само исследование

Перспективы развития рынка микроэлектроники в РФ на горизонте до 2030 г.

В 2025 г. будет организовано серийное производство 56 химических материалов

В 2024 г. уже было освоено производство семи материалов, а в 2026 г. планируется освоение еще 28, то есть всего 91 материал

Об этом сообщили представители Минпромторга на конференции «Электронное машиностроение – 2025»

Среди материалов, производство которых будет запущено, присутствует особо чистые кремнийсодержащие материалы, пластины фосфида галлия, германия монокристаллического особо чистого, керамических материалов на основе нитрида алюминия для СВЧ изделий, фотошаблонных заготовок с маскирующими покрытиями хрома и железа, проформы для светодиодов, порошков и гранул карбида кремния для микроэлектроники, оксида молибдена особо чистого, слитки кремния, легированного алюминием и т.д.

Все материалы необходимы для полупроводникового производства

Например, особо чистые кремнийсодержащие материалы используются в электронике, солнечной энергетике, оптике и других областях, где требуется минимальное содержание примесей

Примерами таких материалов являются монокристаллический кремний, кремниевые наночастицы, а также различные соединения кремния, такие как карбид кремния и оксид кремния

Пластины из фосфида галлия нужны в электронике, в частности, для производства светодиодов

Из презентации следует, что уже завершена расшифровка компонентного состава по 48 химический материалам, а по 31 позициям подготовлено техзадание на разработку и производство.

Компания «ИРТЕЯ» и Микрон подписали форвардный контракт на поставку 10 типов  интегральных микросхем для базовых станций для сетей 5G, LTE и GSM на основе архитектуры Open RAN

Контракт устанавливает параметры поставок десяти типовых позиций интегральных микросхем, включая сроки, последовательность пилотного тестирования и предельный диапазон цен в рублях

Заключение форвардного договора позволяет заранее синхронизировать планы поставок микроэлектроники с производственным циклом базовых станций ИРТЕЯ, включая необходимую перестройку конструкторской документации под российскую элементную базу

Подписание состоялось в присутствии заместителя министра промышленности и торговли Российской Федерации Василия Шпака:

Наш приоритет - поддержка всех форм бизнеса, готовых развивать российский рынок. Мы открыты для сотрудничества с компаниями, представляющими значительную долю отечественных производителей и способствующими росту национальной экономики

Использование отечественных компонентов Микрона в оборудовании ИРТЕЯ снижает зависимость от иностранной электронной компонентной базы и работает на укрепление технологического суверенитета в телекоммуникационной инфраструктуре – одной из стратегических для развития экономики и общества

39 микросхем Микрона, включенных в Реестр российской промышленной продукции, применимы в телекоммуникационной отрасли. ИРТЕЯ одна из первых начала тестировать их в своем оборудовании. Наше соглашение с компанией «ИРТЕЯ» - пример того, как практика форвардных контрактов, уже сформировавшаяся между операторами связи и производителями, транслируется на сотрудничество между производителями телекоммуникационного оборудования и производителями электронной компонентной базы. Для обеспечения технологического суверенитета требуется взаимодействие по всей цепочке кооперации

Контрактом предусмотрена поставка интегральных микросхем для телекоммуникационных решений по фиксированной цене сроком на три года

Миландр наращивает силы по корпусированию

Сейчас у них две молдинговых станции

Первую из них установили еще в 2021 году, она рассчитана на сборку около 300 тыс. изделий в месяц и используется для экспериментов, изготовления опытных изделий и отработки техно-логии

Вторая установка - более производительная: она позволяет собирать порядка миллиона корпусов формата QFN64 в месяц, ёе ввели в эксплуатацию в 2024 году

Кроме того, Миландр оснастил производство станциями для разварки золотой проволокой, а также рядом установок для посадки кристаллов на рамку

Ряд применяемых материалов у Миландра отечественные, в частности - клей для монтажа кристаллов

Сейчас работают над импортозамещением золотой проволоки

К сожалению, пока приходится использовать зарубежные выводные рамки, пластик для корпуса и некоторые другие материалы, поскольку еще не удалось найти в России соответствующую продукцию необходимого качества

На данный момент Миландр производит порядка 100 тыс. ИМС в пластиковых корусах в месяц. т.е. сборочное производство загружено всего на 10%

стр.17, Электроника НТБ №4 (00245) 2025

Дефицит кадров в области микро- и радиоэлектроники в 2025-2027 гг. составит более 21 тыс. человек

Это следует из презентации Московского института электронной техники (МИЭТ), представленной на конференции «Электронное машиностроение — 2025»

Среди востребованных специальностей МИЭТ выделил операторов технологического оборудования, инженеров-технологов на производствах электронной-компонентной базы (ЭКБ), инженеров-конструкторов ЭКБ и модулей, разработчиков систем автоматизированного проектирования (САПР) и конструкторов технологического оборудования

Ключевая проблема, по данным МИЭТ, состоит в недостатке кадров для реализации намеченных планов в России в рамках программы развитие электронного машиностроения

Сейчас количество необходимых сотрудников составляет менее двух тыс. человек

В сентябре 2024 г. глава Сбербанка Герман Греф сообщил, что к 2030 г. дефицит специалистов в области микроэлектроники достигнет 50 тыс. человек

К таковой проблеме привело то, что в 2000-х была практически прекращена подготовка специалистов в связи с отсутствием спроса

Для развития экосистемы подготовки кадров необходим Межуниверситетский центр подготовки кадров и реализации прикладных проектов в области микроэлектроники, следует из презентации МИЭТ

Он будет включать площадки для испытаний, апробации и трансфера разрабатываемых решений и др.

Для дизайн-центров он нужен для ускоренного прототипирования номенклатуры ЭКБ, а микроэлектронным производствам — для обслуживания оборудования и отладки технологий для серийного производства ЭКБ

К 2030 г. МИЭТ подготовит более 4,5 тыс. человек (60% специалистов по САПР и 40% — по электронному машиностроению)

Среди выпускников будут проектировщики цифровых сверхбольших интегральных схем (СБИС), разработчики САПР, инженеры-конструктора и пр.

По мнению МИЭТ, также необходим полигон отечественных САПР микроэлектроники

Он будет предназначен для совместной работы разработчиков, дизайн-центров и научно-образовательных организаций

Разработчики САПР будут совместно тестировать и опробировать программные модули и комплексные маршруты проектирования

Дизайн-центры будут проходить плановую миграцию на отечественные маршруты и сравнивать характеристики российских и зарубежных САПР

Микроэлектронные производства же будут адаптировать библиотеки и комплекты средств проектирования

Студенты физико-технического факультета Томского государственного университета разработали новый метод производства вольфрам-молибденовых порошков для корпусов интегральных микросхем

Сейчас такие материалы не изготавливаются в России, а закупаются в Китае

Порошки могут быть использованы для решения сложных задач получения топологических рисунков высокой плотности для многофункциональных малогабаритных электронных устройств

Для формирования проводящих металлизационных слоев на корпусах металлокерамических микросхем используются пасты на основе вольфрамовых и молибденовых порошков

От качества (чистоты и дисперсности) порошковых материалов напрямую зависят электропроводность, влагоустойчивость и адгезионная стойкость изделия

Существует потребность в порошках для определенных сложных изделий, где нужно наносить топологию (формировать проводящие дорожки): корпусов игральных микросхем, подложек и так далее

Сейчас на заводах используют промышленные вольфрамовые и молибденовые порошки, которые производятся в России и за рубежом. Однако технология, отработанная нашими студентами, позволяет выделять фракцию вплоть до 300 нанометров, то есть производить субмикронные (с диапазоном частиц менее микрометра) порошки. Такой специфичный материал сейчас на рынке массово не производится, однако у предприятий, которые занимаются выпуском серийных изделий, есть потребность в этих порошках.

Технология была апробирована в реальных условиях на производстве, где обнаружилось, что металлизированная паста на основе разработанного в лаборатории ТГУ порошка позволяет наносить на корпуса интегральных микросхем слои в два раза тоньше, чем серийная паста, используемая на предприятиях

Чем мельче порошок, тем более сложной геометрии металлизационные слои он позволяет наносить, и это повышает их плотность. За счет снижения минимально допустимой толщины и ширины проводящих дорожек также уменьшается сопротивление и вероятность появления разных искажений и дефектов

Команда проекта уже подала заявку на патент

Далее студенты ФТФ ТГУ планируют продолжить апробировать материал на российских предприятиях в области микроэлектроники, а также работать над внедрением технологии в производственные процессы

Минпромторг намерен обязать разработчиков интегральных микросхем и процессоров локализовывать производство в России для признания их изделий отечественными, о чем просит представить позицию разработчиков электроники

В частности, министерство намерено начислять максимальное количество баллов для признания продукции российской за производство, корпусирование и модернизацию изделия внутри РФ

Сейчас интегральная микросхема признается российской при подтверждении разработки чипа в стране и с регистрации прав на российское юрлицо

Перевод всех процессов производства интегральных микросхем на российские предприятия является необходимым шагом в формировании технологического суверенитета

В документе министерство также приводит количество баллов, которые необходимо набрать для признания продукции российской: для микросхемы первого уровня до 2035 года необходимо набрать 100 баллов (то есть выполнить все условия 719-го ПП), второго уровня 55 баллов и третьего — 36 баллов

Выполнение соответствующих операций на территории РФ при реализации системного подхода позволит обеспечить доверенность и безопасность оборудования критической инфраструктуры

Также документ подразумевает обязательное использование в производстве микросхем российских фоторезистов с 2030 года, фотошаблонов с 2035 года, корпуса, рамки, подложки, проволоки для разварки, компаунда и андерфила с 2031 года и др., в том числе обязательное использование российского ПО для проектирования микросхем

Изменения долго прорабатывались внутри отрасли, они направлены на усиление локализации интегральных схем, говорит директор GS Group (имеют линии по корпусировке процессоров) по связям с органами власти Михаил Доброхотов

По его словам, благодаря этим изменениям компании смогут набирать баллы не только разработкой, но и отечественными компонентами и производственными операциями

Ведущие предприятия усиливают, например, свои возможности по корпусированию в России

Логика этих изменений должна побуждать разработчиков процессоров Baikal, «Эльбрус», «Модуль» и других переносить производство или его часть в РФ, если компании намерены заявлять свою продукцию как изделие первого уровня (получает преимущества перед вторым и третьим уровнем), говорит директор компании «Промобит» (производит вычислительную технику под брендом Bitblaze) Максим Копосов

Сейчас эти чипы производятся за пределами России, так как в данный момент в стране нет подобных мощностей

По оценке господина Копосова, для переноса производства из одной страны в другую необходимо около двух лет разработки и инвестиций в районе 5 млрд руб. в одну модель процессора, что «соизмеримо со стоимостью разработки чипа с нуля»

К 2030-2032 гг. на отечественные радиоэлектронные предприятия будут внедрены 122 российских установки для производства микросхем

Уже три опытно-конструкторские работы (ОКР) для производства оборудования завершены

Среди них ОКР «Прогресс ППИ»: установка проекционного переноса изображения на пластину на уровне топологии до 350 нм (работа велась «ЗНТЦ» в 2021-2024 гг.), установка контроля топологического рисунка фотошаблонов или ОКР «Прогресс КТФ»

Девять установок будут закончены в 2025 г.

К ним относятся установка молекулярно-лучевой эпитаксии (АО «НТО»), оборудование автоматизированного прогона и тренировки СВЧ приборов (РТУ МИРЭА), кластер плазмо-химического травления (АО «НИИМЭ»), установка для выращивания кристаллов Ge и др.

К 2030 г. планируется провести 110 конструкторских работ для создание установок, необходимых для производства микроэлектроники

Это следует из программы развития электронного машиностроения

Документ был разработан Минпромторгом совместно с МНТЦ МИЭТ

Программа содержит четыре направления: технологическое оборудование, материалы и химические вещества, а также системы автоматизированного проектирования (САПР)

Помимо 122 установок, к 2030-2032 гг. будет освоено производство, 313 химических веществ, 250 материалов и 216 средств автоматического проектирования

По итогам 2025 г. готовы к внедрению в производство 12 установок, 63 типа химических веществ, 60 материалов и 21 САПР

Уже в 2026 г. можно будет использовать на производствах 57 установок оборудования, 91 химический материал, 77 материалов и 52 САПР

Постепенно это их количество будет увеличиваться

В 2025 г. будет организовано серийное производство 56 химических материалов

В 2024 г. уже было освоено производство семи материалов, а в 2026 г. планируется освоение еще 28. то есть всего 91 материал

Бюджетное финансирование программы до 2030 г. запланировано на уровне более 240 млрд руб., сообщил представитель Минпромторга

МНТЦ МИЭТ подсчитал, что в России используется не менее 400 моделей оборудования для производства микроэлектроники

И только порядка 12% оборудования в лучшем случае можно было произвести на территории России

Около 70% оборудования и материалов для производства микроэлектроники планируется импортозаместить к 2030 г.

Для формирования дорожной карты было выбрано 20 технологических маршрутов, включая микроэлектронику (от 180 до 28 нм), СВЧ-электронику, фотонику, силовую электронику, производство фотошаблонов и сборку электронно-компонентной базы (ЭКБ) и модулей, производство пассивной электроники и т. д.

Затраты государства на развитие микроэлектроники распределены по различным госпрограммам, в том числе «Развитие электронной и радиоэлектронной промышленности» и «Научно-технологическое развитие РФ»

Например, в рамках второй программы в НИОКР по выпуску отечественного оборудования и материалов для производства ЭКБ в 2023–2025 гг. планируется инвестировать свыше 100 млрд руб.

Всего с 2025 по 2027 г. на поддержку радиоэлектронной промышленности государство выделит 246,1 млрд руб.

А с 2020 по 2024 г. на развитие отрасли было выделено 430,4 млрд руб.

К концу 2026 г., согласно программе, в стране планируется освоить подготовку пластин: на российском оборудовании планируется выращивать монокристаллы, резать их, шлифовать и полировать, отмывать и сушить, наносить элементы и контролировать выходные изделия (рентгеновский дифрактометр, контроль дефектов)

Также к концу 2026 г. планируется создать литографию с УФ-диапазоном для производства процессоров по топологическим нормам 350 нм (создают ЗНТЦ и белорусский «Планар») и 130 нм (создадут «Оптосистемы»)

Помимо этого будет создана и установка для электронно-лучевой литографии для 150 нм

Сейчас фотолитографы для производства чипов производит всего несколько крупных компаний в мире – нидерландская ASML, а также японские Canon и Nikon

по всем отраслям

10 июля суд нидерландского Роттердама приговорил 43-летнего россиянина к трем годам тюремного заключения за кражу из компании ASML конфиденциальной информации о производстве микрочипов и передачу этой информации другой технологической компании и неназванному адресату в России

Напомним, 43-летний российский инженер, имя которого не раскрывается, был задержан в Нидерландах в декабре

По версии следствия, подозреваемый на протяжении многих лет похищал документы в компаниях ASML и Mapper Lithography

Правоохранительные органы заявили, что инженер мог передавать данные России в нарушение санкционного режима

Изучив предоставленные доказательства, суд снял с подсудимого часть обвинений — например, в том, что он получал деньги за передаваемую информацию

В то же время суд заявил, что «передача России информации по ключевым технологиям является исключительно серьезным преступлением»:

Эта информация может укрепить военный и стратегический потенциал страны, что может иметь последствия для Украины и косвенно — для международной безопасности и стабильности

Микроэлектронный холдинг «Элемент» открыл шесть компаний в Азии

Две из них — на Тайване и четыре — в Китае

В компании утверждают, что производят на них микросхемы для внутреннего рынка Китая

Такой формат — один из инструментов развития нашего присутствия на зарубежных рынках

В сентябре 2024 г. на форуме «Микроэлектроника 2024» представитель «Нанотроники» (входит в «Элемент») сообщал о планах привлекать иностранных специалистов и соотечественников с опытом работы в зарубежных организациях электронного машиностроения

Помимо этого, согласно представленному на форуме слайду, планировалось организовать филиал в Китае

В апреле 2025 г. CNews обнаружил, что «Микрон» ищет преподавателя китайского языка

Российские ученые из Санкт-Петербурга (Алферовский университет и ООО «Иоффе-ЛЕД») и Великого Новгорода (АО «ОКБ-Планета») запатентовали фотодиоды с расширенным ИК-диапазоном, которые позволяют получать более детальное изображение в приборах ночного видения

Ранее такие датчики работали только в ближнем ИК-диапазоне (0,9–1,7 мкм), но благодаря увеличению доли индия в кристаллах чувствительность удалось расширить до 2,65 мкм — почти до границы среднего инфракрасного диапазона, пояснили исследователи

Расширенный диапазон чувствительности позволит им получать более детализированное изображение, комбинируя данные от отраженного света и теплового излучения объектов, что важно в сложных условиях (полная облачность, высокая влажность)

Исследователям оптимизировали состав полупроводникового материала — арсенида индия-галлия (InGaAs), который используется в инфракрасных фотоприемниках

Им также удалось решить проблему высокой плотности дефектов

Для этого использовалось уникальное оборудование для выращивания полупроводников, находящееся в Алфероском университете

Мы разработали технологию, которая позволяет создавать кристаллы InGaAs с рекордным содержанием индия. Это не только существенно расширяет рабочий диапазон детекторов, но и сохраняет их совместимость с существующими производственными процессами. Благодаря этому наши разработки могут быстро выйти на рынок и составить конкуренцию зарубежным аналогам

ГК «Элемент» инвестирует 4,4 млрд руб. в производство силовых транзисторов на нитриде галлия (GaN)

Проект будет запущен на базе НИИ электронной техники (НИИЭТ) в Воронеже

По словам представителя «Элемента», реализация проекта позволит дополнить существующие мощности НИИЭТ по сборке СВЧ- и силовых переключающих GaN-транзисторов кристальным производством электронных компонентов с использованием нитрида галлия и создать первое в России производство GaN-транзисторов полного цикла

Проектная мощность нового кристального производства составит 5,5 тыс. пластин в 200-миллиметровом эквиваленте в год

Проект реализуется с использованием льготного финансирования в рамках механизма кластерной инвестиционной платформы (КИП)

Оператор программы КИП является Фонд развития промышленности

Выбор НИИЭТ в качестве площадки для размещения кристального производства представитель «Элемента» объясняет наличием у предприятия соответствующих заделов в серийном производстве силовых приборов на нитриде галлия

Наверно, автомобильных зарядок